Home在4月27日报道说，SK hynix在4月23日当地时间举行的TSMC 2025北美技术论坛上展示了许多新的鼓力DRAM，以及HBM的高级记忆和常见的DIMM模块。其中，在HBM的一部分中，作为在HBM字段上实现16层键合的第一个业务记忆，SK Hynix使用先进的MR-MUF键合技术带来了16HI HBM内存模型。在特定的HBM内存产品中，SK Hynix和HBM4的HBM3E也出现在论坛上。其中，HBM4内存目前支持16HI堆叠，单个堆栈容量最大为48GB，I/O速度为8.0Gbps，一般带宽为2.0TB/s。逻辑模具部分使用高级TSMC进程。在DIMM模块的常规部分中，SK hynix显示了丰富的产品组合。 Parain General Rdimms，此时呈现的模型速度为8000mt/s，包括三个模型：基于1C NM的高级过程，高达64GB的容量；使用3DS-键入技术的技术logy，容量为256GB；较旧的过程，容量为96GB。对于高级服务器的MRDIMM，SK Hynix推出了三种产品，速度高达12,800mt/s：标准板类型，基于1C NM DRAM的型号，容量高达64GB；也使用传统董事会类型但基于旧过程的模型可以达到96GB；使用较高类型板的产品可以扩展到256GB。